肖克利的实验室。
上个月，他刚在新泽西的山顶买了一栋带泳池的别墅，又提了一辆最新款的凯迪拉克L。
《时代》杂志也约了记者来采访，甚至连稿子的标题他都想好了，就叫“晶体管之父：威廉·肖克利”。
在肖克利看来，自己正站在人生的巅峰上。
想到这些，肖克利的笑容越发得意，他清了清嗓子，拿起马克笔，在白板上画了一个坩埚，开始讲解自己的思路。
“女士们先生们，今天我要讲的，是生长结法的最新优化方案。”
他的声音里带着骄傲，仿佛在炫耀着什么。
“我们都知道，点接触晶体管太不稳定了。”
“良率仅有百分之五十，如果这种产品也能量产的话，那将是米国的不幸。”
台下的研究员们纷纷点头。
这是他们所有人的痛。
点接触晶体管，从一九四七年发明到现在，已经四年了，可良品率却始终卡在百分之五十左右，死活也提上不去。
“而生长结法，彻底解决了这个问题。”
肖克利的马克笔，又在坩埚里画了一根棒状的晶体。
“我们用CZOChralSki法，也就是直拉法，从熔融的锗液里，缓慢地拉出一根单晶。”
“在拉的过程中，先往熔液里投一颗镓丸，众所周知，镓是三价元素，掺进去，锗就变成了P型。”
“等这一层长到足够厚，再投一颗锑丸，锑是五价元素，掺进去，锗又变回了N型。”
“这样，拉出来的一根单晶里，就有了N-P-N的三层结构。”
他在晶体上画了三个区域，标上N、P、N。
“中间那个P型层，就是基区。”
“基区越薄，载流子穿过基区的时间就越短，晶体管的截止频率就越高。”
“我们现在的工艺，基区厚度已经能控制在二十微米左右。”
二十微米。
台下有人倒吸了一口凉气，震惊于贝尔实验室的技术。
因为点接触晶体管的基区，是靠两根探针的间距控制的，最少也得五十微米。
他们能做到二十微米，已经是质的飞跃了。
“二十微米，这意味着什么？”肖克利扫视全场，嘴角带着一丝意气风发的笑意，“这意味着我们的晶体管，截止频率能做到一兆赫兹以上。”
一兆赫兹。
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